RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
77
Rund um -221% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2972
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link