RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
77
Rund um -221% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.4
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
2972
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link