RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
16.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
77
Autour de -328% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
18
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
20.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
16.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3530
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link