RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
77
Autour de -133% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
10.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2945
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link