RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
10.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
77
Около -133% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2945
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link