RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
13.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
77
Autour de -175% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
13.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3211
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU5-GNL-F 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link