RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
77
Autour de -185% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2902
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMD64GX4M8X3800C19 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link