RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
77
Wokół strony -185% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2902
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link