RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
77
Autour de -141% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
15.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3000
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link