RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3000
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link