RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
10.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
77
Autour de -208% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
10.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2832
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link