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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
14.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
77
Autour de -267% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
21
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
18.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
14.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3437
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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