RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
18.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
77
Intorno -267% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
21
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3437
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link