RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
77
Autour de -166% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
18.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3555
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link