RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3555
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link