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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
77
Autour de -285% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
20
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
18.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
15.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3162
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
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