RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
15.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
77
Около -285% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
18.8
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3162
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9932291-002.A00G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link