RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
21.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
19.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
77
Autour de -185% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
21.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
19.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
4044
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link