RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
21.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
19.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
77
Intorno -185% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
27
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
21.9
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
19.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
4044
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMX16GX3M2A1333C9 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link