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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
70
77
Autour de -10% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
70
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
1934
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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