RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
70
77
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
70
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1934
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FB 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link