RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
48
77
Autour de -60% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
48
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3047
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMB 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link