RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
77
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
48
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3047
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link