RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
60
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2932
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link