RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
104
Wokół strony -352% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2236
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Mushkin 991586 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.M16FB1 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link