RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
104
Wokół strony -352% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2236
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link