RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Сравнить
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB против Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Средняя оценка
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
104
Около -352% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.3
2,404.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
104
23
Скорость чтения, Гб/сек
3,192.0
14.4
Скорость записи, Гб/сек
2,404.5
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
786
2236
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMK64GX4M82800C14 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link