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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
総合得点
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
総合得点
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
14.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
104
周辺 -352% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
7.3
2,404.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
104
23
読み出し速度、GB/s
3,192.0
14.4
書き込み速度、GB/秒
2,404.5
7.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
786
2236
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