RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
77
Autour de -221% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
11.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3092
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link