RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
77
103
Autour de 25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.8
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
103
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
13.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
7.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
1520
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Corsair CML8GX3M2A2133C11 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link