RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
77
103
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.8
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
103
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1520
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link