RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
77
81
Autour de 5% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.0
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
81
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
13.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
7.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
1523
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link