RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
77
81
Rund um 5% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
2,622.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
81
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
7.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
1523
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link