RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
13.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
77
Autour de -141% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
13.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3399
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-HYD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link