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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
77
左右 -141% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
32
读取速度,GB/s
3,405.2
17.8
写入速度,GB/s
2,622.0
13.4
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3399
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
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