RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
39
77
Autour de -97% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
39
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
10.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2519
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Apacer Technology 78.CAGPE.AUF0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link