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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KHX2666C15/8G 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
77
左右 -97% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
5300
左右 4.02 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
39
读取速度,GB/s
3,405.2
14.9
写入速度,GB/s
2,622.0
10.1
内存带宽,mbps
5300
21300
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2519
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston K000MD44U 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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