RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
77
Autour de -235% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3018
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link