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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
77
Autour de -235% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
23
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
13.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3233
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
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