RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
11.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
77
Autour de -157% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2870
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Mushkin 991586 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link