RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2870
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 996902 2GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link