RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
77
Autour de -126% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
5300
Autour de 4.02 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
21300
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2830
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Transcend Information JM800QLU-2G 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link