RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
68
77
Autour de -13% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.9
2,622.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
68
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
8.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2007
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link