RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
77
Autour de -196% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2594
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link