RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
77
Около -196% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
13.7
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
2594
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link