RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
55
77
Autour de -40% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
55
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.3
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2653
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link