RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
55
77
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
55
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2653
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link