RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
11.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
77
Autour de -79% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
5300
Autour de 4.83 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
43
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
11.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
25600
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
2615
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link