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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
77
左右 -79% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
43
读取速度,GB/s
3,405.2
11.6
写入速度,GB/s
2,622.0
11.2
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
2615
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
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