RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
77
Autour de -285% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
20
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
19.5
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3483
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston K000MD44U 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link