RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
19.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
77
Rund um -285% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
15.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3483
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link