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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Comparez
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Note globale
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Note globale
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,622.0
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
77
Autour de -175% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
77
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,405.2
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
2,622.0
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
763
3244
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaison des RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
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takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
INTENSO 5641162 8GB
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